半导体行业
先进陶瓷定制制造商
碳化硅陶瓷
半导体设备核心结构件定制解决方案
材质种类
材料特征
体积密度
洛氏硬度
弹性模量
抗弯强度
抗压强度
导热系数
热膨胀系数
DX101(RBSiC)
SiC88%
≥3.05
90.6
375
374
2353
128
4.81
DX101A(RBSiC)
SiC 90%
3.08
91.5
402
415
2693
173
4.63
DX101B(RBSiC)
DX101B(RBSiC)
≥3.06
91
400
400
≥2200
190
2.73
DX201(SSiC)
SSIC
≥3.10
94.1
425
436
2440
153
4.94
DX202(SSiC-G)
10%G(粗)
2.90-2.95
89.5
291
276
895
137
4.80
DX202B(SSiC-G)
10%G
2.90-2.95
2332(HV0.5)
318
348
1464
132
4.73
DX202C(SSiC-G)
15%G
2.80-2.85
/
249
284
1176
97.9
4.66
DX202D(SSiC-G)
20%G
2.70-2.78
/
217
260
1046
101
4.68
DX202E(SSiC-G)
30%Graphite
≥2.70
681(HV0.5)
170
242
1031
77.5
4.69
DX203(SSiC-P)
SSIC+Porous
3.0-3.05
92.6
359
314
/
149
4.96
DX204(SSiC-G-P)
SSIC+P+Graphite
2.80-2.84
/
336
232
/
135
135
DX205(SSiC)
加强SSIC
≥3.10
/
398
412
2814
144
4.75
深耕碳化硅行业
碳化硅
碳化硅产品适配刻蚀封装、散热全场景，产品均通过中科院上海硅酸盐研究所的权威检测，批次稳定性好，可实现从配方定制到批量交付的 全流程服务。
DX101A的材料更新
碳化硅产品适配刻蚀封装、散热全场景，产品均通过中科院上海硅酸盐研究所的权威检测，批次稳定性好，可实现从配方定制到批量交付的 全流程服务。
400倍下的微观结构——密封面
400倍下的微观结构——横切面
DX101B的材料更新
使用了更纯的原材料及特殊的烧结工艺，我们将材料的金属杂质含量降低到500ppm以下，从而使材料的物理性能得到进一步的提升。
产品优势
高纯度
高导热性
高弹性模量
低热膨胀系数
高断裂韧性4.5MPa.m^1/2
纯度报告
Ti/SiSiC Al/SiSiC的材料更新
为满足客户对产品在特殊工况下的需求，通过添加Ti或AI来提升或是调整材料某一物理性能，如热导率提升20-30%，调整CTE降低与其他材料的热失配风险。
Ti/SiSiC X500
Al/SiSiC X500
DX201的材料更新
在东新，我们可以根据客户的需求，添加增韧材料或调整原粉到纳米级，从而提升材料的物理性能，尤其是断裂韧性可以提升15-30%，针对高速旋转的干气密封动环。
（造粒后）粉体晶相
X200
X400
高纯碳化硅
高纯度碳化硅陶瓷是一种专门为半导体设备配套的高性能精密陶瓷材料，其最显著的特点是极低的金属杂质，避免其在应用过程中对承载产品的污染。
扫描电镜（SEM）
X射线行射（XRD）
SiC纯度
密度
晶型
技术特点
指标
> 99.99%
>3.14g·cm-³
纯度高，杂质少
纯度高，杂质少